Internal storage
Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
693,13 € · imposto incluído
Entrega estimada: 2026-09-09
Includes 3,69 € in private-copy compensation (Article 25 of the Spanish Intellectual Property Law).
- Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host)
- Soporte TRIM
- Soporte S.M.A.R.T
- GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura
- SOPORTE DE CIFRADO Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada)
- Soporte WWN
- Soporte del modo de suspensión del dispositivo Alimentación
- Consumo medio de energía (Nivel de sistema): Promedio: Lectura 5,5 W / Escritura 4,8 W
- Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW
- Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico
- Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida
- Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF)
- Temperatura de funcionamiento: 0
- 70 ºC Temperatura de funcionamiento
- Choque: 1.500 G y 0,5 ms (medio seno) Dimensiones y peso
- 80,15 x 22,15 x 2,38mm
- Max. 9 g
- Capacidad
- - 4TB
- Interfaz
- - PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
- Tamaño
- - M.2 (2280)
- Rendimiento
- - Lectura secuencial: hasta 7250 MB/s - Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.050.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.400.000 IOPS
Estoque observado: 02/09/2026 13:07
